CNET科技资讯网3月21日国际报道 本周二，日本东芝和韩国Hynix宣布，已经签署一项交叉许可协议，了结一系列有关NAND闪存专利的诉讼和纠纷。

两家公司称，Hynix将向东芝供应NAND闪存芯片，但拒绝披露更进一步的详细资料。分析人士表示，Hynix还可能向东芝提供专业DRAM芯片。东芝不生产这种芯片。

由于没有达成交叉许可协议，东芝在2004年11月份起诉Hynix后，二者在美国和日本陷入了一系列的纠纷。

CJ投资和证券分析师Song Myung-sup说，这一解决方案对于Hynix而言是个好消息，有助于Hynix减少为应付官司而预留的资源。

去年12月份，美国国际贸易委员会（ITC）驳回了东芝禁止进口Hynix闪存芯片的请求。东芝已经于去年12月29日向美国联邦上诉法院提出了上诉。去年11月份，ITC驳回了Hynix要求禁止进口东芝闪存芯片的反诉。

两家公司均没有披露新达成的交叉许可协议的期限，只是表示这是一项“长期协议”。二者上一次签订交叉许可协议是在1996年，到期期限是2002年年底。