搭配闪存是来自美光的16颗25nm工艺芯片，编号29F128G08CFAAB，符合ONFI 2.0 NAND标准，单颗容量16GB，总容量256GB。Vertex 3 Pro样品用的是东芝32nm芯片。

　　注意：美光、Intel合资生产25nm闪存芯片，但是在写入循环指标上给出的数据却不一样，分别是3000次、5000次，主要是因为美光已经批量供应新工艺芯片，Intel的量还很少。

　　按照OCZ给出的规格表，Vertex 3的最高持续读写速度为550MB/s、525MB/s，4KB随机写入性能最高60000 IOPS，Vertex 3 Pro则是550MB/s、500MB/s、70000 IOPS。这和SandForce标注的参数显然有些不同。

　　SandForce对此的解释是自己并没有强制规定具体性能指标，具体如何宣传由合作伙伴自行测试决定。这里可能是OCZ认为美光25nm芯片更强。

　　下边我们就来看看AnandTech网站对Vertex 3 240GB、Vertex 3 Pro 200GB的深度测试，并对比考察它们在SATA 6Gbps、SATA 3Gbps两种接口模式下的不同。

　　测试平台配置如下：

　　处理器：

　　Core i7-965 3.2GHz (关闭HT/EIST)

　　Core i7-2600K 3.4GHz (关闭HT/EIST、仅用于AnandTech 2011测试套装)

　　主板：

　　Intel DX58SO (X58＋Marvell SATA 6Gbps PCI-E)

　　Intel H67

　　芯片组驱动：

　　Intel INF 9.1.1.1015＋IMSM 8.9

　　Intel INF 9.1.1.1015＋RST 10.2

　　内存：奇梦达DDR3-1333 1GB×4 (7-7-7-20)

　　显卡：EVGA GeForce GTX 285

　　显卡驱动：GeForce 190.38

　　操作系统：Windows 7 x64

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　　一、持续读写速度